[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201711364985.6 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108054204A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属氧化物半导体晶体管。所述金属氧化物半导体晶体管包括P型阱区、形成于所述P型阱区表面的源区与漏区、形成于所述源区与漏区上及所述P型阱区上的栅极氧化层、形成于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅，所述栅极多晶硅包括至少部分位于所述源区的栅极氧化层上方的第一部分、至少部分位于所述漏区的栅极氧化层上方的第二部分、及连接于所述第一部分与第二部分之间的第三部分，所述第三部分包括迂回结构，使得所述迂回结构的长度大于所述第一部分与所述第二部分之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体晶体管，其特征在于：所述金属氧化物半导体晶体管包括P型阱区、形成于所述P型阱区表面的源区与漏区、形成于所述源区与漏区上及所述P型阱区上的栅极氧化层、形成于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅，所述栅极多晶硅包括至少部分位于所述源区的栅极氧化层上方的第一部分、至少部分位于所述漏区的栅极氧化层上方的第二部分、及连接于所述第一部分与第二部分之间的第三部分，所述第三部分包括迂回结构，使得所述迂回结构的长度大于所述第一部分与所述第二部分之间的距离。
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