[发明专利]纳米片Zn2

摘要

本分案申请涉及纳米片Zn2SnO4/Bi2WO6催化降解气相污染物的方法，该方法先制备Zn2SnO4粉末，将Zn2SnO4粉末溶于Bi(NO3)3·5H2O与Na2WO4·2H2O混合溶液中，持续搅拌、超声处理后，进行离心、干燥，得到Zn2SnO4/Bi2WO6纳米片。本发明制备的Zn2SnO4/Bi2WO6纳米片比表面积大，吸附能力强；具有更好的可见光吸收性能，对光催化氧化降解有机污染物有很大的提高；而且本发明Zn2SnO4/Bi2WO6纳米片的制备方法比较简单，易于操作。

主权项

纳米片Zn2SnO4/Bi2WO6催化降解气相污染物的方法，其特征在于，包括如下步骤：将Zn2SnO4/Bi2WO6纳米片放入反应器内，先用惰性气体通入反应器吹扫至稳定，将气相污染物以流速1～10μL/h通入反应器10～60min后保持反应器密封，将反应器置于暗态0.5～3h，然后开启氙灯进行光催化反应，4～6h后关闭氙灯；所述纳米片Zn2SnO4/Bi2WO6的制备方法为：S1.用ZnCl2和SnCl4·5H2O制备Zn2SnO4粉末；S2.将Bi(NO3)3·5H2O溶解于CH3COOH水溶液中，得到溶液a；将Na2WO4·2H2O溶解于去离子水中，得到溶液b，Bi(NO3)3·5H2O与Na2WO4·2H2O摩尔比为2:1；S3.在室温下，将溶液b加入溶液a中，混合搅拌，pH值调至7；将Zn2SnO4粉末加入到混合溶液中，Zn2SnO4占Bi(NO3)3·5H2O的1～5mol％，然后移至反应釜内在150‑250℃下反应11‑33h，冷却获得沉淀物Ⅱ，将沉淀物Ⅱ清洗、干燥，得到Zn2SnO4/Bi2WO6纳米片。