[发明专利]一种MWT硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种MWT硅太阳能电池的制备方法，包括：制绒：在硅片上制绒，形成光陷阱表面；扩散：使用扩散源在绒面上扩散掺杂形成PN结；掩膜：在硅片背表面制备起刻蚀掩蔽作用的掩膜；刻蚀：利用化学药液去除硅片边缘及背面多余的PN结；去除掩膜浆料；去除磷硅玻璃；镀膜：在硅片正表面镀氮化硅减反膜；印刷：印刷背面电极和正面电极；烧结；激光打孔：在电池片上激光打孔；灌孔：采用导电介质灌孔，导通正面栅线与背面的正电极，最后干燥固化。本发明通过将激光打孔工序放到最后工序降低了全线碎片率。

主权项

1.一种MWT硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：(1)制绒：在硅片上制绒，形成光陷阱表面；(2)扩散：使用扩散源在绒面上扩散掺杂形成PN结；(3)掩膜：在硅片背表面制备起刻蚀掩蔽作用的掩膜；(4)刻蚀：利用化学药液去除硅片边缘及背面多余的PN结；去除掩膜浆料；去除磷硅玻璃；(5)镀膜：在硅片正表面镀氮化硅减反膜；(6)电极制备：制备背电极和正电极、背电场和正面栅线；(7)烧结；(8)激光打孔：在电池片上激光打孔；(9)灌孔：采用导电介质灌孔，导通正面栅线与背面的正电极，最后干燥固化。