[发明专利]硅晶面依赖的纳米结构晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201711346743.4 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109962107A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 窦亚梅;韩伟华;郭仰岩;赵晓松;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的硅晶面依赖的纳米结构晶体管，该晶体管结构包括：硅衬底；氧化物绝缘层，制作在硅衬底上；硅晶面依赖的纳米结构，制作在氧化绝缘层上；源区和漏区的硅电导台面，均制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅晶面依赖的纳米结构的两端并与硅晶面依赖的纳米结构两端连接，该硅晶面依赖的纳米结构和源区、漏区的硅电导台面形成类似工字形结构；氧化物薄层包裹在源区、漏区硅电导台面和硅晶面依赖的纳米结构的表面；栅极导电条，包裹在硅晶面依赖的纳米结构的氧化物薄层上，并垂直于硅晶面依赖的纳米结构。本发明同时公开了一种利用晶面依赖制作纳米结构晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米结构 硅晶 台面 晶体管 电导 漏区 源区 氧化物绝缘层 硅衬底 制作 氧化物 薄层 工字形结构 晶体管结构 绝缘层上硅 氧化绝缘层 栅极导电条 衬底 晶面 制备 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种基于绝缘层上硅衬底的硅晶面依赖的纳米结构晶体管，其特征在于，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅晶面依赖的纳米结构，制作在氧化物绝缘层上；一源区和一漏区的硅电导台面，均制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅晶面依赖的纳米结构的两端并与硅晶面依赖的纳米结构两端连接，该硅晶面依赖的纳米结构和源区、漏区的硅电导台面形成一源区和漏区宽以及纳米结构窄的工字形结构一氧化物薄层包裹在源区、漏区硅电导台面和硅晶面依赖的纳米结构的表面；一栅极导电条，包裹在硅晶面依赖的纳米结构的氧化物薄层上，并垂直于硅晶面依赖的纳米结构；一源极和漏极分别制作在源区和漏区硅电导台面上；一栅极制作在栅极导电条上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所;中国科学院大学，未经中国科学院半导体研究所;中国科学院大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711346743.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MOSFET器件及其制造方法
- 下一篇：半导体器件及该半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
