[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器，CMOS图像传感器的像素单元中包括感光二极管的N型注入区和形成在N型注入区的表面P型注入区；P型注入区和N型注入区的区域大小具有由相同的光刻版定义的自对准结构，P型注入区的区域大小是在N型注入区形成之后通过对N型注入区的掩膜进行各项同性的刻蚀后扩大形成的；N型注入区的掩膜由N型注入区对应的光刻版定义。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能节省一块光刻版，节约工艺成本，且能提高工艺稳定性，方便量产。

主权项

一种CMOS图像传感器，其特征在于，CMOS图像传感器的各像素单元中包括：N型注入区和P型注入区；所述N型注入区形成于P型半导体衬底表面且由所述N型注入区和所述P型半导体衬底之间形成的PN结二极管作为感光二极管；所述N型注入区在所述感光二极管感光后存储光生电子；所述P型注入区形成于所述N型注入区的表面并从所述N型注入区的顶部将所述N型注入区覆盖，使所述感光二极管感呈针扎型结构；所述P型注入区和所述N型注入区的区域大小具有由相同的光刻版定义的自对准结构，所述P型注入区的区域大小是在所述N型注入区形成之后通过对所述N型注入区的掩膜进行各项同性的刻蚀后扩大形成的；所述N型注入区的掩膜由所述N型注入区对应的光刻版定义。