[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201711339191.4 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109427672B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 杨玉麟;李东颖;余绍铭;郑兆钦;陈自强;黄昭宪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造半导体器件的方法中，形成鳍结构，其中，所述鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。蚀刻未被牺牲栅极结构覆盖的鳍结构的源极/漏极区，由此形成源极/漏极间隔。通过源极/漏极间隔横向地蚀刻第一半导体层。在源极/漏极间隔中，至少在蚀刻的第一半导体层上形成第一绝缘层。在源极/漏极间隔中形成源极/漏极外延层，从而在源极/漏极外延层与第一绝缘层之间形成气隙。本发明还提供了半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成鳍结构，其中，所述鳍结构包括交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层；在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构；蚀刻所述鳍结构的未被所述牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极区，从而形成源极/漏极间隔；通过所述源极/漏极间隔横向地蚀刻所述多个第一半导体层；至少在所述源极/漏极间隔中的蚀刻的多个第一半导体层上形成第一绝缘层；以及在所述源极/漏极间隔中形成源极/漏极外延层，从而在所述源极/漏极外延层与所述第一绝缘层之间形成气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
