[发明专利]一种制备薄膜太阳能电池的方法在审
| 申请号： | 201711330314.8 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109920865A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 祝海生;黄乐;陈立;凌云;黄夏;孙桂红;黄国兴 | 申请（专利权）人： | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 安曼 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备薄膜太阳能电池的方法，所述将Mo层真空磁控溅射在基板上之后，真空蒸镀CIGS吸收层，后真空磁控溅射ZnO缓冲层，闪灯退火后再次磁控溅镀AZO层，得到烧结后的CIGS太阳能电池板。与现有技术相比，本发明采用蒸镀与闪灯退火工艺相结合的蒸镀方法，不仅可以实现CIGS太阳能电池的连续镀膜过程，同时还可以通过及时退火时膜系的性能保持在最佳状态，不受多次温度的改变和膜系的制作方式的影响，通过本发明制备出的太阳能电池板，其太阳能转化效率可以达到20％，以转化率长期保持着国内领先水平，镀膜均匀性达到90％。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜太阳能电池 退火 真空磁控溅射 膜系 闪灯 蒸镀 太阳能转化效率 太阳能电池板 镀膜均匀性 磁控溅镀 连续镀膜 退火工艺 性能保持 真空蒸镀 烧结 吸收层 基板 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制备薄膜太阳能电池的方法，其特征在于，所述将Mo层真空磁控溅射在基板上之后，真空蒸镀CIGS吸收层，后真空磁控溅射ZnO缓冲层，闪灯退火后再次磁控溅镀AZO层，得到烧结后的CIGS太阳能电池板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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