[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在一个实施例中，提供了包括单元区和虚设区的衬底。下互连结构形成在单元区和虚设区中。在下互连结构之上形成单元区中的一个或多个第一多层结构图案和虚设区中的一个或多个第二多层结构图案。第一多层结构图案和第二多层结构图案沿第一方向延伸。每一个第二多层结构图案包括刻蚀目标层。绝缘材料层形成在第一多层结构图案和第二多层结构图案之上。填充第一多层结构图案和第二多层结构图案的两个相邻图案之间的空间的层间绝缘层通过平坦化绝缘材料层来形成。移除每一个第二多层结构图案中的刻蚀目标层。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供包括单元区和虚设区的衬底；在单元区和虚设区中形成下互连结构；在下互连结构之上形成单元区中的一个或多个第一多层结构图案和虚设区中的一个或多个第二多层结构图案，第一多层结构图案和第二多层结构图案沿第一方向延伸，第二多层结构图案中的每一个包括刻蚀目标层，第一方向平行于衬底的顶表面；在第一多层结构图案和第二多层结构图案之上形成绝缘材料层；通过化学地且机械地抛光绝缘材料层来形成层间绝缘层，层间绝缘层填充第一多层结构图案和第二多层结构图案的两个相邻图案之间的空间；以及移除每一个第二多层结构图案中的刻蚀目标层。