[发明专利]半导体存储装置及其操作设定方法有效

专利信息
申请号: 201711328187.8 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN108231121B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 村上洋树;妹尾真言 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C16/16 分类号: G11C16/16;G11C16/26
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛;贾磊
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体存储装置及其操作设定方法,能够减少ROM的选项数据资源,并且能够维持操作的弹性。本发明的半导体存储装置包含存储最适合选项数据的存储器单元阵列、CPU、RAM和ROM。CPU对应于所需要的操作,从存储器单元阵列的选项数据存储器读取最适合选项数据并暂存在RAM,且利用从RAM读取的最适合选项数据,控制半导体存储装置的操作。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 操作 设定 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于,包括:存储器单元阵列,用以存储与所述半导体存储装置的操作条件有关的数据;只读存储器,用以存储用来控制所述半导体存储装置的操作的数据;中央处理装置,其基于从所述只读存储器所读取的所述数据,控制所述半导体存储装置的操作;以及随机存取存储器;其中所述中央处理装置对应于所要求的操作,从所述存储器单元阵列读取所述操作条件有关的数据并暂存至所述随机存取存储器,并从所述随机存取存储器读取所述操作条件有关的数据,以控制所述半导体存储装置的操作。
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