[发明专利]类超晶格（SUPERLATTICE-LIKE）开关元件有效
| 申请号： | 201711323705.7 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109686838B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 郑怀瑜;龙翔澜;郭奕廷 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电压感测开关元件(voltage sensitive switching device)，具有类超晶格存储单元结构(superlattice‑like cell structure)，该开关元件包括双向材料层，例如硫属化物合金。存储单元还包括能在交叉点存储器中使用的开关元件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格 superlattice like 开关 元件 | ||
【主权项】：
1.一种开关元件，包括：一第一电极；一第二电极；以及一叠层，包括位于该第一电极与该第二电极之间的多个双向材料层，该些双向材料层中的一层与该些双向材料层中和该层相邻的多个相邻层接触，且该些相邻层具有与该层不同的组成物。
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