[发明专利]快恢复Pin二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711314373.6 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108054197B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 超仪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 314000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快恢复Pin二极管及其制造方法。所述快恢复Pin二极管包括N型衬底、形成所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层远离所述N型衬底的表面切间隔设置的两个P型注入区、形成于每个P型注入区表面的P型高掺杂区、形成于所述N型外延层、所述P型注入区、及所述P型高掺杂区上的P型低掺杂注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 pin 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种快恢复Pin二极管，其特征在于：所述快恢复Pin二极管包括N型衬底、形成所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层远离所述N型衬底的表面切间隔设置的两个P型注入区、形成于每个P型注入区表面的P型高掺杂区、形成于所述N型外延层、所述P型注入区、及所述P型高掺杂区上的P型低掺杂注入区。
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