[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201711306943.7 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109904112B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底；在衬底上的层间电介质层，层间电介质层具有延伸到衬底的沟槽，沟槽的侧壁上具有第一间隔物层，沟槽中具有彼此间隔开的第一鳍片和第二鳍片，第一鳍片和第二鳍片的表面上具有栅极电介质层；以及填充沟槽的栅极，栅极包括位于第一鳍片之上用于NMOS器件的第一栅极和位于第二鳍片之上用于PMOS器件的第二栅极；去除第一间隔物位于第二栅极的侧壁上的部分；在第二栅极的侧壁上形成第二间隔物；其中，第一间隔物包括介电常数小于5的电介质材料，第二间隔物包括介电常数大于10的电介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的层间电介质层，所述层间电介质层具有延伸到所述衬底的沟槽，所述沟槽的侧壁上具有第一间隔物层，所述沟槽中具有彼此间隔开的第一鳍片和第二鳍片，所述第一鳍片和所述第二鳍片的表面上具有栅极电介质层；以及填充所述沟槽的栅极，所述栅极包括位于所述第一鳍片之上用于NMOS器件的第一栅极和位于所述第二鳍片之上用于PMOS器件的第二栅极；去除所述第一间隔物位于所述第二栅极的侧壁上的部分；在所述第二栅极的侧壁上形成第二间隔物；其中，所述第一间隔物包括介电常数小于5的电介质材料，所述第二间隔物包括介电常数大于10的电介质材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
