[发明专利]一种ZrC1-x

摘要

本发明公开了一种ZrC1‑x‑SiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，称取ZrC1.0、Si3N4原料粉体，混合均匀，得到ZrC‑Si3N4混合粉体；将ZrC1.0‑Si3N4混合粉体在真空条件下，加热保温，反应制得ZrC1‑x‑SiC复合粉体；将ZrC1‑x‑SiC复合粉体装入石墨模具中，于热压烧结条件下，在惰性气氛中保温，制得ZrC1‑x‑SiC复相陶瓷。本发明采用Si3N4与ZrC1.0原位反应生成细小的SiC颗粒和非化学计量的缺碳型ZrC1‑x，制备的陶瓷的致密度高达100％，ZrC1‑x相的平均晶粒尺寸仅为2～3μm，还具有原料价廉易得、制备工艺简单、可操控性强、容易实现规模化等优点。

主权项

1.一种ZrC1-x-SiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)：将ZrC1.0、Si3N4以质量比98.5∶1.5～87.5∶12.5的比例称取原料粉体，采用湿法球磨使混合均匀，得到ZrC-Si3N4混合粉体；步骤2)：将ZrC1.0-Si3N4混合粉体在真空条件下，于1550～1650℃保温0.5～1小时，反应制得ZrC1-x-SiC复合粉体；步骤3)：将ZrC1-x-SiC复合粉体装入石墨模具中，于1950～2200℃、25～45MPa的热压烧结条件下，在惰性气氛中保温1～2小时，制得ZrC1-x-SiC复相陶瓷。