[发明专利]一种以硫化镉作为窗口材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号: | 201711302842.2 | 申请日: | 2017-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN107871820A | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
| 发明(设计)人: | 罗云荣;陈国柱;羊亿;李昭萍;张晶;杨红;李曼殊 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 410081 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种以硫化镉作为窗口材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的结构从下至上依次为透明导电衬底1、N型硫化镉薄膜2、P型钙钛矿薄膜3、P型重掺杂石墨烯薄膜4、金属电极5。本发明的优点在于一方面,利用硫化镉良好的窗口效应,并作为电子选择接触层能够极大地提升钙钛矿太阳能电池的光电转换效率;另一方面,重掺杂石墨烯具有高载流子迁移率和电导率,其致密的结构特点能够有效地阻止钙钛矿薄膜被空气中的水氧降解,并阻隔金属电极向钙钛矿薄膜的有害扩散,极大地提高了传统钙钛矿太阳能电池的稳定性和光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 硫化 作为 窗口 材料 钙钛矿 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种以硫化镉作为窗口材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的结构从下至上依次为:透明导电衬底、N型硫化镉薄膜、P型钙钛矿薄膜、P型重掺杂石墨烯薄膜、金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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