[发明专利]一种基于肖特基-MOS混合结构的光致负阻器件

摘要

本发明公开了一种基于肖特基‑MOS混合结构的光致负阻器件，包括半导体衬底，半导体衬底的上表面覆盖氧化物隔离层，氧化物隔离层的上表面覆盖环形顶电极；氧化物隔离层上开有圆形氧化层窗口；氧化层窗口的面积为顶电极所围面积的1/10～1/9；在氧化层窗口的内侧壁、半导体衬底暴露部分、顶电极的内侧壁和上表面、氧化物隔离层上表面覆盖石墨烯薄膜；本发明以石墨烯作为有源层和透明电极，石墨烯与半导体接触形成肖特基结，石墨烯覆盖在氧化物的上表面与半导体衬底形成MOS结，两种元件并联形成混合结构。一定强度的光照可以直接控制器件的阻抗特性，适合应用于光电开关和光控振荡器等电路。本发明器件成本低廉，具有负阻区间大，响应速度快，易于集成的特点。

主权项

1.一种基于肖特基‑MOS混合结构的光致负阻器件，其特征在于，包括：底电极(1)、半导体衬底(2)、氧化物隔离层(3)、氧化层窗口(4)、顶电极(5)、石墨烯薄膜(6)；其中，所述半导体衬底(2)的上表面覆盖氧化物隔离层(3)，在氧化物隔离层(3)的上表面覆盖环形顶电极(5)，顶电极(5)的边界小于氧化物隔离层(3)的边界；在氧化物隔离层(3)上开有与环形顶电极(5)同轴的圆形氧化层窗口(4)，使窗口区域的半导体衬底(2)暴露出来；顶电极(5)内边缘到氧化层窗口(4)外边缘的距离为半导体衬底(2)的少数载流子扩散长度，且氧化层窗口(4)的面积为顶电极(5)所围面积的1/10～1/9；在氧化层窗口(4)的内侧壁、半导体衬底(2)的暴露部分、环形顶电极(5)的内侧壁和上表面、环形顶电极(5)所围的氧化物隔离层(3)的上表面覆盖石墨烯薄膜(6)；在半导体衬底(2)下表面设置底电极(1)。