[发明专利]晶圆键合中的退火装置及退火方法有效
| 申请号： | 201711283285.4 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108054087B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 王海宽;郭松辉;吕新强;林宗贤;吴龙江 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆键合中的退火装置及退火方法。所述晶圆键合中的退火装置，包括加热盘；所述加热盘包括同轴设置的多个区域；多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布，用以实现对晶圆键合界面从中心到边缘的逐步加热。本发明减少了晶圆键合界面中空洞的产生，提高了晶圆的键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 中的 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合中的退火装置，其特征在于，包括加热盘；所述加热盘包括同轴设置的多个区域；多个区域相互独立加热且沿所述加热盘的中心向边缘分布，用以实现对晶圆键合界面从中心到边缘的逐步加热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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