[发明专利]等离子体发生器电极及其制造方法在审
| 申请号： | 201711282245.8 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107845559A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王雨化 | 申请（专利权）人： | 上海睿筑环境科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J9/02 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201100 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体发生器电极及其制造方法，该电极包括基底、形成在基底上的柱状结构阵列及针状结构阵列，针状结构阵列形成在柱状结构阵列外的基底上及柱状结构阵列的底部。该结构充分利用了柱状结构和针状结构跨尺度的配合，针状结构在几何上的尖端效应，集聚局部电场促进气体向等离子体状态的直接转化；而柱状结构的侧壁含有大量的表面态，可进一步促进等离子体在空间中的扩散中的增殖和维持，能够实现在较低电压驱动的条件下高效率地形成较大范围的高密度等离子体分布。该电极的制造方法巧妙地利用贵金属催化刻蚀基底形成柱状结构后余留在柱状结构底部，继续作为后续针状结构生长的催化剂，达到了高效、节省、连贯的跨尺度微加工效果。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 发生器 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体发生器电极，其特征在于，包括：基底；柱状结构阵列，形成在所述基底上,所述柱状结构阵列包括若干柱状结构；针状结构阵列，形成在所述若干柱状结构外的所述基底上以及所述若干柱状结构的底部，所述针状结构阵列包括若干针状结构。
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