[发明专利]纳米线器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711275119.X | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109888014B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘轶群 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米线器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有前驱层；刻蚀所述前驱层，形成沟道纳米线，所述沟道纳米线的表面均属于{111}晶面族。通过对所述沟道纳米线表面结构的选择，为后续高质量高K栅介质层，甚至单晶结构高K栅介质层的形成提供良好的工艺基础，进而达到提高高K栅介质层介电常数和致密度，改善所形成全包围栅极结构的电学性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有前驱层；刻蚀所述前驱层，形成沟道纳米线，所述沟道纳米线的表面均属于{111}晶面族。
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