[发明专利]用于以优化读取电压读取数据的非易失性存储器设备有效
| 申请号： | 201711274002.X | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108305660B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 尹铉竣;朴一汉;崔那荣;宋承桓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于以最佳读取电压读取数据的非易失性存储器设备的读取方法。读取方法包括：通过将连接到第一字线的第一组存储器单元的数据划分为M页并从M页单独地读取数据，读取第一组存储器单元的数据。读取数据包括：当读取M页中的每个页时，通过对第一组存储器单元的两个相邻阈值电压分布的第一谷执行片上谷搜索(OVS)操作；以及基于OVS操作的结果，经由对与第一字线相邻的第二字线的读取操作执行数据恢复读取操作。在数据恢复读取操作中，不执行对第一字线的读取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 优化 读取 电压 数据 非易失性存储器 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于非易失性存储器设备的读取方法，该非易失性存储器设备包括多个存储器单元，每个存储器单元存储M位数据，其中M为3或大于3的整数，所述读取方法包括：通过将连接到第一字线的第一组存储器单元的数据划分为M页并从M页单独地读取数据，读取所述第一组存储器单元的数据，其中读取所述第一组存储器单元的数据包括：当读取第一至第M页中的每个页时，通过对所述第一组存储器单元的两个相邻阈值电压分布的第一谷执行N个感测操作来执行片上谷搜索(OVS)操作，其中N为3或更多；以及基于所述OVS操作的结果，经由对与所述第一字线相邻的第二字线的读取操作执行数据恢复读取操作，其中，在所述数据恢复读取操作中，不执行对所述第一字线的读取操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711274002.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
