[发明专利]一种针对点阵光源下光子在媒质中分布的快速提取方法有效
| 申请号： | 201711271479.2 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN107993722B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 赵会娟;赵宽心;闫盼盼;李同心 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G16H50/50 | 分类号： | G16H50/50;A61B5/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于组织光学领域，涉及一种针对点阵光源下光子在媒质中分布的快速提取方法，包括下列步骤：建立常用待求移变媒质模型与半无限移变媒质模型。利用蒙特卡罗MC模拟程序对点光源下光子在半无限模型中的分布进行模拟，并以此作为原始计算依据与平移数据库。推算点阵光源下光子在待求移变媒质模型中的分布结果，实现点阵光源下光子在模型中分布特性的快速提取。本发明节省了蒙特卡罗模拟时长，提高了模拟效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 针对 点阵 光源 光子 媒质 分布 快速 提取 方法 | ||
【主权项】：
一种针对点阵光源下光子在媒质中分布的快速提取方法，包括下列步骤：(1)在Matlab平台上建立常用待求移变媒质模型与半无限移变媒质模型。(2)利用蒙特卡罗MC模拟程序对点光源下光子在半无限模型中的分布进行模拟，并以此作为原始计算依据与平移数据库。(3)推算点阵光源下光子在待求移变媒质模型中的分布结果，方法如下：在半无限移变模型的基础上，光子入射组织模型传播时不会受到除上表面外其它边界的影响，任一位置点光源下光子在模型中的分布可通过对一个中心点光源下完全扩散的半无限模型的数值解作相应平移得到，即只需要一次MC模拟便可以计算出点阵光源下光子在待求模型中的分布，实现点阵光源下光子在模型中分布特性的快速提取。。
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