[发明专利]MOSFET结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种MOSFET结构及其制造方法。所述结构包括：衬底；第一导电类型阱区；第一沟槽，开设于第一导电类型阱区表面并向下延伸至第二导电类型阱区；源极，设于第二导电类型阱区内、第一沟槽下方；栅氧化层，设于第一沟槽的内表面；多晶硅栅，填充于第一沟槽底部的侧壁，位于栅氧化层上；导电栓塞，从第一沟槽的上方向下延伸，贯穿源极后与第二导电类型阱区接触；绝缘氧化层，填充于第一沟槽内、导电栓塞与多晶硅栅之间；漏极，设于第一沟槽外、源极的斜上方。本发明将传统集成工艺的高压器件由横向器件改为部分纵向的器件，将栅端以深沟槽工艺埋入器件内部，并形成垂直方向的沟道区，可以最大化降低高压器件所需要的横向尺寸。

主权项

1.一种MOSFET结构，其特征在于，包括：衬底；第一导电类型阱区，设于所述衬底上；至少一个第一沟槽，开设于所述第一导电类型阱区表面并向下延伸；第二导电类型阱区，所述第一沟槽是向下延伸至所述第二导电类型阱区；栅氧化层，设于所述第一沟槽的内表面；多晶硅栅，位于所述栅氧化层内侧，填充于所述第一沟槽底部及侧壁的部分区域；源极，具有第一导电类型，设于所述第二导电类型阱区内、所述多晶硅栅之间的第一沟槽下部；导电栓塞，从所述第一沟槽的上方向下延伸，贯穿所述源极后与所述第二导电类型阱区接触；绝缘氧化层，填充于所述第一沟槽内、所述导电栓塞与多晶硅栅之间，覆盖所述多晶硅栅，并将所述多晶硅栅与所述源极进行绝缘隔离；及漏极，具有第一导电类型，设于所述第一沟槽外、所述源极的斜上方；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。