[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201711262580.1 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109873035B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 林静龄;梁文安;黄振铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一鳍状结构于一基底上，然后形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于鳍状结构上以及一层间介电层环绕第一栅极结构以及第二栅极结构，将第一栅极结构以及第二栅极结构转换为第一金属栅极以及第二金属栅极，形成一硬掩模于第一金属栅极以及第二金属栅极上，去除部分硬掩模、第二金属栅极以及部分鳍状结构以形成一开口，再形成一介电层于凹槽内以形成一单扩散隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成一鳍状结构于一基底上；形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于该鳍状结构上以及一层间介电层环绕该第一栅极结构以及该第二栅极结构；将该第一栅极结构以及该第二栅极结构转换为一第一金属栅极以及一第二金属栅极；形成一硬掩模于该第一金属栅极以及该第二金属栅极上；去除部分该硬掩模、该第二金属栅极以及部分该鳍状结构以形成一开口；以及形成一介电层于该凹槽内以形成一单扩散隔离结构。
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