[发明专利]基于深槽刻蚀的平坦化方法有效

专利信息
申请号: 201711257386.4 申请日: 2017-12-04
公开(公告)号: CN108133887B 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 陈年;张龙;陈国帅;宗雨阳 申请(专利权)人: 扬州国宇电子有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L21/3105
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 谈杰
地址: 225000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于深槽刻蚀的平坦化方法。所述方法包括以下步骤:在具有台阶的衬底上沉淀二氧化硅层;所述台阶为多晶硅材质,且所述台阶上不沉淀所述二氧化硅层;利用等离子体刻蚀方式,采用不同的速率刻蚀所述台阶及所述二氧化硅层;且刻蚀所述台阶的速率大于刻蚀所述二氧化硅层的速率;所述二氧化硅层刻蚀第一预设厚度后停止刻蚀。本方法利用半导体制造企业普遍使用的各向异性干法刻蚀设备,不需要添加额外半导体刻蚀设备、材料,且整个平坦化过程工艺步骤简单,实现低成本、满足平坦化效果的刻蚀。
搜索关键词: 刻蚀 二氧化硅层 平坦化 深槽 半导体刻蚀设备 半导体制造企业 沉淀二氧化硅 等离子体刻蚀 各向异性干法 多晶硅材质 过程工艺 刻蚀设备 低成本 衬底 预设 沉淀
【主权项】:
1.一种基于深槽刻蚀的平坦化方法,其特征在于,包括以下步骤:在具有台阶的衬底上沉淀二氧化硅层;所述台阶为多晶硅材质,且所述台阶上不沉淀所述二氧化硅层;利用等离子体刻蚀方式,采用不同的速率刻蚀所述台阶及所述二氧化硅层;且刻蚀所述台阶的速率大于刻蚀所述二氧化硅层的速率;所述二氧化硅层刻蚀第一预设厚度后停止刻蚀;所述衬底的台阶周围包覆有一圈二氧化硅包围圈,所述二氧化硅包围圈高度低于所述台阶,在具有台阶的衬底上沉淀二氧化硅层时,在所述二氧化硅包围圈上沉积新的二氧化硅;在具有台阶的衬底上沉淀二氧化硅层后,所述台阶周围的二氧化硅层厚度相同;所述台阶高于所述二氧化硅层;所述台阶相对硅基底高度为1微米,所述二氧化硅层相对所述硅基底厚度为0.9微米;所述多晶硅刻蚀气体为:C2F6和CHF3;所述二氧化硅刻蚀气体为:C2F6和CHF3;所述二氧化硅层相对硅基底的厚度为第二预设厚度,所述第一预设厚度小于或者等于所述第二预设厚度。
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