[发明专利]一种减少晶体管制作步骤的方法在审
| 申请号： | 201711248380.0 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108091571A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 孙洪文;李嘉成;魏万通;殷敏琪;王海滨;金鑫 | 申请（专利权）人： | 河海大学常州校区 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 丁涛 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少晶体管制作步骤的方法，包括：步骤1：准备初始晶体管，作为复制的母版；步骤2:复制母版结构得到复制模具；步骤3：制备模压衬底，所述模压衬底从上至下依次设置胶体、多晶硅、氧化硅、硅和衬底；步骤4：将步骤3制备的模压衬底根据步骤2制得的复制模具进行模压得到胶体的三维结构；步骤5：通过反应离子刻蚀对胶体的三维结构进行图案转移；步骤6：去胶并掺杂得到晶体管。本发明提供的一种减少晶体管制作步骤的方法，使得现有技术下制备晶体管的步骤大幅度减少，有利于提高工艺效率，降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 衬底 制备 三维结构 复制 模具 制作 反应离子刻蚀 从上至下 复制母版 工艺成本 工艺效率 图案转移 依次设置 多晶硅 氧化硅 母版 去胶 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种减少晶体管制作步骤的方法，其特征在于，包括：步骤1：准备初始晶体管，作为复制的母版；步骤2: 复制母版结构得到复制模具；步骤3：制备模压衬底，所述模压衬底从上至下依次设置胶体、多晶硅、氧化硅、硅和衬底；步骤4：将步骤3制备的模压衬底根据步骤2制得的复制模具进行模压得到胶体的三维结构；步骤5：通过反应离子刻蚀对胶体的三维结构进行图案转移；步骤6：去胶并掺杂得到晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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