[发明专利]一种基于石墨烯蓝宝石衬底的高光效LED芯片在审
| 申请号： | 201711247017.7 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108010995A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;陈召龙;高鹏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯蓝宝石衬底的高光效LED芯片。该LED外延片的制备包括：在石墨烯蓝宝石衬底上依次生长AlN、u‑GaN、n‑GaN、多量子阱和p‑GaN薄膜。本发明提供了一种在石墨烯‑蓝宝石衬底上生长得到的LED芯片。基于石墨烯非常好的热导率和应力释放作用，以及表现为范德华外延生长的薄膜沉积过程，可大大降低GaN薄膜中的应力和位错密度，使得制成的LED芯片发光效率可以提高20‑50％，且可以避免使用过程中的过热问题，利于大功率LED芯片的制造，对于基于AlN/GaN的半导体器件的制造具有重大意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 蓝宝石 衬底 高光效 led 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种LED基外延片，由下至上依次包括：石墨烯蓝宝石衬底、AlN、u-GaN、n-GaN、多量子阱和p-GaN薄膜。
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