[发明专利]一种实现GaAsN外延薄膜硅高效掺杂的方法在审
| 申请号： | 201711226329.X | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108183062A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 赵雲;韩修训;董琛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 周瑞华 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现GaAsN外延薄膜硅高效掺杂的方法，利用外延生长手段将传统的(100)GaAs衬底改变为(n11)B GaAs衬底来外延生长硅掺杂的GaAsN材料。本发明利用(n11)B极性面(即As面)能够形成高密度三键Ⅴ位(即N或As位)，并结合N的高电负性特性来构筑N的活性吸附位，能够有效抑制硅原子与N复合体的产生，从而有效地提高GaAsN中硅的并入量，可获得可控硅掺杂的GaAsN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂的 外延薄膜 衬底 外延生长硅 活性吸附 外延生长 有效抑制 传统的 复合体 硅原子 极性面 可控硅 有效地 负性 高电 三键 薄膜 构筑 | ||
【主权项】：
1.一种实现GaAsN外延薄膜硅高效掺杂的方法，其特征在于利用外延生长手段将传统的(100) GaAs衬底改变为(n11)B GaAs衬底来外延生长硅掺杂的GaAsN材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
