[发明专利]一种制备工业级四氯化硅的方法在审
| 申请号： | 201711223561.8 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108101065A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 宋兴桥 | 申请（专利权）人： | 天津中科拓新科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300452 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备工业级四氯化硅的方法。以硅粉为原料，硅粉和HCl气体发生氯化反应，反应产物含有氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅及少量未反应的HCl和硅粉，尾气至后续处理，三氯氢硅除尘后进行下一步反应；以紫外光作为光源，三氯氢硅和氯气进行反应，光化学反应温度为25‑50℃，得到四氯化硅；未反应的氯气和生成的HCl经后续工序分离；未反应的氯气和生成的HCl经分离后，氯气返回进行反应，HCl返回进行反应。本发明反应温度低，大大降低了制备四氯化硅对设备的腐蚀和能耗；副反应产物少，四氯化硅选择性≥98％。对硅粉质量要求低。 | ||
| 搜索关键词： | 氯气 四氯化硅 硅粉 三氯氢硅 制备 工业级四氯化硅 二氯二氢硅 副反应产物 光化学反应 紫外光 后续处理 后续工序 氯化反应 一步反应 氢气 对设备 返回 除尘 光源 能耗 尾气 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种制备工业级四氯化硅的方法，其特征是步骤如下：1)、以硅粉为原料，硅粉和HCl气体发生氯化反应，反应产物含有氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅及少量未反应的HCl和硅粉，尾气至后续处理，三氯氢硅除尘后进行下一步反应；2)、以紫外光作为光源，三氯氢硅和氯气进行反应，得到四氯化硅；未反应的氯气和生成的HCl经后续工序分离；3)、未反应的氯气和生成的HCl经分离后，氯气返回步骤2)进行反应，HCl返回步骤1)进行反应。
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