[发明专利]一种采用灰度掩膜版实现三维曲面曝光和刻蚀的方法在审
| 申请号： | 201711215278.0 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107861338A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 汪学方;任振洲;许剑锋;杨玉怀 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 张彩锦,曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于微纳三维曲面加工领域，并公开了一种采用灰度掩膜版实现三维曲面曝光和刻蚀的方法。该方法包括下列步骤(a)确定待加工材料表面的加工深度，以及掩膜版与待加工材料的位置对应关系，在掩膜版上对应位置处设定相应的灰度值；(b)在待加工材料表面悬涂光刻胶，采用光源透过掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，由此在光刻胶表面形成三维曲面图形；(c)对由步骤(b)获得的表面有光刻胶的待加工材料进行复合刻蚀，从而在待加工材料表面形成所需的三维曲面图形，由此完成对待加工材料的加工。通过本发明，加工尺寸小，加工精度高，加工效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 灰度 掩膜版 实现 三维 曲面 曝光 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种采用灰度掩膜版实现三维曲面曝光和刻蚀的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：(a)针对所需的三维曲面图形，确定其在待加工材料表面不同位置处的加工深度，将掩膜版置于待加工材料的上方，确定所述掩膜版与待加工材料的位置对应关系，针对所述不同位置处的加工深度，在所述掩膜版上对应位置处设定相应的灰度值；(b)在待加工材料表面悬涂光刻胶，采用光源透过所述掩膜版对所述光刻胶进行曝光和显影，该曝光过程中，所述掩膜版上不同位置处灰度值的不同使得所述光刻胶表面实现深浅不一的曝光，由此在所述光刻胶表面显影形成三维曲面图形；(c)对由步骤(b)显影后的表面有光刻胶的待加工材料进行复合刻蚀，从而在待加工材料表面形成所需的三维曲面图形，由此完成对待加工材料的加工，其中，所述复合刻蚀包括下列步骤：(c1)分别选取对所述光刻胶和待加工材料进行刻蚀的刻蚀成分A和B，并将该刻蚀成分A和B混合获得混合物刻蚀成分C；(c2)采用所述刻蚀成分C按照所述光刻胶表面形成的三维曲面图形，对所述光刻胶和待加工材料同时进行刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711215278.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
