[发明专利]一种低轴间耦合的三维电场传感器有效

专利信息
申请号: 201711202281.9 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN107907749B 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 夏善红;凌必赟;彭春荣 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: G01R29/12 分类号: G01R29/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种低轴间耦合的三维电场传感器,其三组电场敏感单元均采用轴对称差分设计,用于测量垂直于对称轴方向的面内电场分量,并且抵消垂直于电场敏感单元的电场分量和平行于对称轴的电场分量的耦合。每一个电场敏感单元的结构包括:轴对称的基底板;至少一对感应电极和至少一对驱动电极,均对称布置在基底对称轴的两侧;振动板,沿着基底板对称轴对称布置,用于在驱动电极的驱动下做水平或竖直方向的平动,从而调制感应电极的电场分布。本发明实现了对三维电场的测量,并从结构设计上降低了轴间耦合。
搜索关键词: 一种 低轴间 耦合 三维 电场 传感器
【主权项】:
一种低轴间耦合的三维电场传感器,包括三组电场敏感单元,所述三组电场敏感单元的测量轴相互垂直,分别用于测量X、Y和Z三个相互垂直方向的电场;其中,所述电场敏感单元包括:轴对称结构的基底板;以及轴对称差分结构的电场敏感部,该电场敏感部位于所述基底板表面,且其对称轴与所述基底板的对称轴重合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所,未经中国科学院电子学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711202281.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top