[发明专利]半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201711192036.4 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108110100B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李东律;朴正圭;玄在星 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光装置和一种制造半导体发光装置的方法，所述装置包括：包括多个V形凹陷的第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层，其沿着所述多个V形凹陷的形状；有源层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的助反射层；以及助反射层上的反射层，其中，第二导电半导体层的厚度为45nm至100nm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，包括：包括多个V形凹陷的第一导电半导体层；所述第一导电半导体层上的有源层，其沿着所述多个V形凹陷的形状；所述有源层上的第二导电半导体层；所述第二导电半导体层上的助反射层；以及所述助反射层上的反射层，其中，所述第二导电半导体层的厚度为45nm至100nm。
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