[发明专利]一种齐纳二极管及其制造方法有效
申请号: | 201711189305.1 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN108198849B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 殷登平;赵豹;王世军;姚飞 | 申请(专利权)人: | 南京矽力微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/866;H01L21/329 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 210042 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种齐纳二极管及其制造方法,包括:半导体衬底;第一外延层,位于半导体衬底上;阱区,位于第一外延层中;第二外延层,位于阱区上;掺杂区,位于第二外延层中,其中,半导体衬底、第一外延层、阱区分别为第一掺杂类型,掺杂区为第二掺杂类型,第一掺杂类型与第二掺杂类型相反,第一外延层的掺杂浓度高于第二外延层的掺杂浓度。第一掺杂类型为N型和P型之一,第二掺杂类型为N型和P型中的另一个。该齐纳二极管通过增加第二层外延层以及在第一外延层中由高能量的离子注入形成阱区可以同时改善击穿电压的稳定性和减小动态电阻。 | ||
搜索关键词: | 一种 齐纳二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种齐纳二极管,包括:半导体衬底;第一外延层,位于所述半导体衬底上;阱区,位于所述第一外延层中;第二外延层,位于所述阱区上;掺杂区,位于所述第二外延层中,其中,所述半导体衬底、所述第一外延层、所述阱区分别为第一掺杂类型,所述掺杂区为第二掺杂类型,所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反,所述第一外延层的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度。
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