[发明专利]一种体积分数可控高分散性颗粒增强金属基复合材料的制备方法有效
申请号: | 201711188662.6 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107999745B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 黄浩;王敏涓;李虎;黄旭;沙爱学;李臻熙 | 申请(专利权)人: | 中国航发北京航空材料研究院 |
主分类号: | B22F1/02 | 分类号: | B22F1/02;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/22;C23C14/08 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 仉宇 |
地址: | 100095 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明是一种体积分数可控高分散性颗粒增强金属基复合材料的制备方法,其制造步骤如下:将一定粒度分布的颗粒放入物理气相沉积设备中,在颗粒表面均匀涂覆界面阻挡层;随后继续在颗粒表面均匀涂覆金属涂层,形成金属包裹颗粒结构;将包裹态颗粒放入模具中,通过真空热压、热等静压或SPS成型等工艺,实现颗粒增强金属基复合材料的制备。从而获得体积分数可控、高分散性的颗粒增强金属基复合材料。本发明可以有效的保证高体积分数复合材料的制备;同时金属涂层均匀包裹颗粒,可以有效的保证成型过程中颗粒不会发生接触,保证了增强相的分布均匀,有助于实现高性能颗粒增强金属基复合材料的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 体积 分数 可控 分散性 颗粒 增强 金属 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种体积分数可控高分散性颗粒增强金属基复合材料的制备方法,本方法中采用物理气相沉积工艺,物理气相沉积工艺中的基材为SiC颗粒,粒径尺寸为1-200μm;物理气相沉积工艺中包括界面阻挡层靶和金属靶,界面阻挡层靶材能够在SiC颗粒表面沉积成阻挡所述的金属相容于SiC基体界面的界面阻挡层;其特征在于:该方法包括如下步骤:步骤1、使用界面阻挡层靶,采用物理气相沉积工艺在SiC颗粒表面沉积形成界面阻挡层,包裹SiC颗粒;且在沉积过程中通过搅拌法或振动法使得包裹SiC颗粒的界面阻挡层均匀沉积;步骤2、使用金属靶,采用物理气相沉积工艺对具有界面阻挡层的SiC颗粒进行金属沉积,在沉积过程中通过搅拌法或振动法使得包裹SiC颗粒的金属层均匀沉积,沉积形成金属涂层;步骤3、将步骤2得到的金属涂层SiC颗粒填充于模具中进行成型处理,成型处理采用真空热压、热等静压或放电等离子烧结。
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