[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711187641.2 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN109427891B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王参群;聂俊峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，辐散的离子束用于将离子注入覆盖层内，其中，覆盖层位于半导体鳍上方的第一金属层、介电层和界面层上方。然后将离子从覆盖层驱使至第一金属层、介电层和界面层的一个或多个内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将掺杂剂注入覆盖层内，所述覆盖层位于第一金属层、第一介电层和半导体鳍上方，其中，用辐散的离子束实施注入所述掺杂剂；以及将所述掺杂剂从所述覆盖层穿过所述第一金属层驱使至所述第一介电层内。
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