[发明专利]基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法

摘要

本发明公开了基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法，该圆偏振起偏器包括一基底、三反射式纳米砖阵列和一透射式纳米砖阵列；基底的一侧面的上部和下部分别有一反射式纳米砖阵列，与该一侧面相对的另一侧面的上部和中部分别有一透射式纳米砖阵列和一反射式纳米砖阵列；反射式纳米砖阵列由在基底上周期性排列的反射式纳米砖阵列单元构成；反射式纳米砖阵列单元由在基底上等间距排列成一行的若干方向角不同的电介质纳米砖构成；透射式纳米砖阵列由在基底上排列成阵列的电介质纳米砖构成。本发明可将一束随机偏振态的入射光，高效转换为两束旋向相同且传播方向不变的圆偏光；同时，本发明还具有低损耗、易制造、结构紧凑、宽带适用等优点。

主权项

1.基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器，其特征是：包括一长方体形的基底、三反射式纳米砖阵列和一透射式纳米砖阵列；所述基底的一侧面的上部和下部分别有一反射式纳米砖阵列，与该一侧面相对的另一侧面的上部和中部分别有一透射式纳米砖阵列和一反射式纳米砖阵列；所述反射式纳米砖阵列由在基底上周期性排列的若干反射式纳米砖阵列单元构成；所述反射式纳米砖阵列单元由在基底上等间距排列成一行的若干尺寸一致但方向角不同的电介质纳米砖构成，其中，第n个电介质纳米砖的方位角为或N为反射式纳米砖阵列单元中电介质纳米砖数量，n＝1,2,......N；所述透射式纳米砖阵列由在基底上排列成阵列的若干尺寸一致且方向角也一致的电介质纳米砖构成；所述各反射式纳米砖阵列和所述透射式纳米砖阵列中电介质纳米砖数量、以及阵列的行数、列数均相同；所述电介质纳米砖为亚波长尺寸；所述方位角为电介质纳米砖长的方向和X轴方向的夹角，所述X轴方向为基底长的方向。