[发明专利]防止外围电路受损的方法及结构

摘要

本发明公开了一种防止外围电路受损的方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供已形成外围电路的衬底，在外围电路上形成第一保护层，并形成覆盖第一保护层及部分衬底上表面的隔离层；去除部分隔离层，露出所述部分衬底上表面，在剩余隔离层的上表面形成第二保护层；形成覆盖第二保护层、剩余隔离层的侧壁及露出的部分衬底上表面的第三保护层，并形成覆盖第三保护层的第四保护层；去除部分第三保护层和部分第四保护层形成保护垫。本发明中，通过形成保护垫，有效地避免了三维存储器形成过程中产生的氢离子和氧离子对靠近存储阵列的外围器件的损坏，从而保持了外围器件良好的性能，进而确保了三维存储器成品的良率。

主权项

1.一种防止外围电路受损的方法，其特征在于，包括：提供已形成外围电路的衬底，在所述外围电路上形成第一保护层，并形成覆盖所述第一保护层及部分衬底上表面的隔离层；去除部分隔离层，露出所述部分衬底上表面，在剩余隔离层的上表面形成第二保护层；形成覆盖所述第二保护层、所述剩余隔离层的侧壁及露出的所述部分衬底上表面的第三保护层，并形成覆盖所述第三保护层的第四保护层；去除部分第三保护层和部分第四保护层，以露出所述第二保护层的上表面和部分衬底上表面，形成保护垫。