[发明专利]导通孔的铜填充工艺在审
| 申请号： | 201711184322.6 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107978558A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 吕术亮;潘杰;马亮;章星;李远;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/34;C23C14/16;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及导通孔的铜填充工艺，包括以下步骤在第一偏压下，对导通孔进行铜的第一次物理气相沉积；在第二偏压下，对导通孔继续进行铜的第二次物理气相沉积，且第二偏压小于第一偏压。本发明采用物理气相沉积铜填充工艺替代化学气相沉积钨填充工艺，在不降低孔结构填充能力的情况下，能提高金属薄膜质量以及降低电阻率，同时结合铜电镀(ECP)工艺，简化工艺制程，降低工艺生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 导通孔 填充 工艺 | ||
【主权项】：
导通孔的铜填充工艺，其特征在于，包括以下步骤：在第一偏压下，对导通孔进行铜的第一次物理气相沉积；在第二偏压下，对导通孔继续进行铜的第二次物理气相沉积，且第二偏压小于第一偏压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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