[发明专利]闭环工作方式的电容式压力传感器在审
| 申请号： | 201711181054.2 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108051134A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 胡波;李森林 | 申请（专利权）人： | 胡波;李森林 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;G01L1/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100000 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闭环工作方式的电容式压力传感器，其包括顶部电极硅片、中心电极硅片、下电极硅片、二氧化硅绝缘层、可移动的质量块、第一压力通孔、第二压力通孔；中心电极硅片位于顶部电极硅片和下电极硅片之间，顶部电极硅片与中心电极硅片之间、中心电极硅片和下电极硅片之间都设有二氧化硅绝缘层，可移动的质量块位于中心电极硅片上，第一压力通孔位于顶部电极硅片的中间，第二压力通孔位于中心电极硅片的中间。本发明提高了精度、线性度，增强了抗干扰能力，增强了过压保护能力，提高了稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 闭环 工作 方式 电容 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种闭环工作方式的电容式压力传感器，其特征在于，其包括顶部电极硅片、中心电极硅片、下电极硅片、二氧化硅绝缘层、可移动的质量块、第一压力通孔、第二压力通孔；中心电极硅片位于顶部电极硅片和下电极硅片之间，顶部电极硅片与中心电极硅片之间、中心电极硅片和下电极硅片之间都设有二氧化硅绝缘层，可移动的质量块位于中心电极硅片上，第一压力通孔位于顶部电极硅片的中间，第二压力通孔位于中心电极硅片的中间。
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