[发明专利]一种硅片晶圆激光切割工艺在审
| 申请号: | 201711180152.4 | 申请日: | 2017-11-23 |
| 公开(公告)号: | CN107731672A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
| 发明(设计)人: | 徐志华;葛建秋;张彦 | 申请(专利权)人: | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/38;B23K26/402 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明涉及芯片划片行业,具体涉及一种硅片晶圆激光切割工艺,包括以下步骤准备工作穿好工作衣`工作鞋,带好工作帽和工作手套,清扫工作场地,整理划片设备以及划片工具;对来料进行检验检验内容包括,芯片无碎裂现象;划片操作。本发明的一种硅片晶圆激光切割工艺,切割过程确保走刀位置的准确性,和切割的精度,操作简单,切割速度快,误差极小。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 激光 切割 工艺 | ||
【主权项】:
一种硅片晶圆激光切割工艺,其特征在于,包括如下步骤:(1)准备工作:穿好工作衣`工作鞋,带好工作帽和工作手套,清扫工作场地,整理划片设备以及划片工具;(2)对来料进行检验:检验内容包括,芯片无碎裂现象;(3)划片操作:具体步骤依次包括,A按“激光划片机操作规程”开启激光划片机,戴上激光防护眼镜;B将待切割芯片背面向上放在划片机平台上,紧贴着基准靠山;C启动切割程序,使激光划片机处于工作状态,调节激光器上微动旋钮,使激光的焦点上下移动;D调节切割机电流旋钮调节电流强度,使切割的硅片易于用手掰开;E调节好以后即可以进行划片;F对划好的芯片进行逐片自检,使划出的芯片基本符合尺寸要求。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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