[发明专利]一种硅片晶圆激光切割工艺在审

专利信息
申请号: 201711180152.4 申请日: 2017-11-23
公开(公告)号: CN107731672A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 徐志华;葛建秋;张彦 申请(专利权)人: 江阴苏阳电子股份有限公司
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;B23K26/38;B23K26/402
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214400 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及芯片划片行业,具体涉及一种硅片晶圆激光切割工艺,包括以下步骤准备工作穿好工作衣`工作鞋,带好工作帽和工作手套,清扫工作场地,整理划片设备以及划片工具;对来料进行检验检验内容包括,芯片无碎裂现象;划片操作。本发明的一种硅片晶圆激光切割工艺,切割过程确保走刀位置的准确性,和切割的精度,操作简单,切割速度快,误差极小。
搜索关键词: 一种 硅片 激光 切割 工艺
【主权项】:
一种硅片晶圆激光切割工艺,其特征在于,包括如下步骤:(1)准备工作:穿好工作衣`工作鞋,带好工作帽和工作手套,清扫工作场地,整理划片设备以及划片工具;(2)对来料进行检验:检验内容包括,芯片无碎裂现象;(3)划片操作:具体步骤依次包括,A按“激光划片机操作规程”开启激光划片机,戴上激光防护眼镜;B将待切割芯片背面向上放在划片机平台上,紧贴着基准靠山;C启动切割程序,使激光划片机处于工作状态,调节激光器上微动旋钮,使激光的焦点上下移动;D调节切割机电流旋钮调节电流强度,使切割的硅片易于用手掰开;E调节好以后即可以进行划片;F对划好的芯片进行逐片自检,使划出的芯片基本符合尺寸要求。
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