[发明专利]用于三维存储器元件的半导体结构及其制造方法

摘要

一种用于三维存储器元件的半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、堆叠结构以及外延层。所述堆叠结构配置于所述基底上且具有贯穿所述堆叠结构并延伸至所述基底中的多个开孔。所述堆叠结构包括交替堆叠的多个绝缘层与多个栅极层。所述多个开孔的每一个包括位于所述基底的表面上的第一部分与位于所述基底的表面下的第二部分，且所述第二部分的深宽比大于1。外延层配置于所述多个开孔的每一个中。所述外延层的顶面介于自所述基底向上的第i层的绝缘层的顶面与底面之间，且i大于或等于2。

主权项

1.一种用于三维存储器元件的半导体结构，包括：基底；堆叠结构，配置于所述基底上且具有贯穿所述堆叠结构并延伸至所述基底中的多个开孔，其中所述堆叠结构包括交替堆叠的多个绝缘层与多个栅极层，且所述多个开孔的每一个包括位于所述基底的表面上的第一部分与位于所述基底的表面下的第二部分，所述第二部分的深宽比大于1；以及外延层，配置于所述多个开孔的每一个中，其中所述外延层的顶面介于自所述基底向上的第i层的绝缘层的顶面与底面之间，且i大于或等于2。