[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201711162406.X | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109427890A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡伩哲;谢旻谚;陈华丰;潘国华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本揭露的实施例提供一种半导体元件包含基板、绝缘层形成于基板之上；多个鳍状物垂直地形成自基板的表面，这些鳍状物延伸穿过绝缘层且于绝缘层的顶面之上；栅极结构形成于这些鳍状物的一部分之上且于绝缘层的顶面之上；源极/漏极结构配置相邻于栅极结构的相对两侧，源极/漏极结构接触鳍状物；介电层形成于绝缘层之上；第一接触沟槽以第一深度延伸穿过介电层以暴露源极/漏极结构，第一接触沟槽含有导电材料；以及第二接触沟槽以第二深度延伸穿过介电层，第二接触沟槽包含导电材料，且第二深度大于第一深度。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 接触沟槽 鳍状物 源极/漏极 延伸穿过 介电层 基板 半导体元件 导电材料 栅极结构 顶面 绝缘层形成 结构接触 结构配置 相对两侧 垂直地 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板；一绝缘层，形成于该基板之上；多个鳍状物，垂直地形成自该基板的一表面，所述多个鳍状物延伸穿过该绝缘层且于该绝缘层的一顶面之上；一栅极结构，形成于所述多个鳍状物的一部分之上及该绝缘层的该顶面之上；一源极/漏极结构，配置相邻于该栅极结构的相对两侧，该源极/漏极结构接触该鳍状物的一部分；一介电层，形成于该绝缘层之上；一第一接触沟槽，以一第一深度延伸穿过该介电层以暴露该源极/漏极结构，该第一接触沟槽含有一导电材料；以及一第二接触沟槽，以一第二深度延伸穿过该介电层，该第二接触沟槽包含该导电材料，且该第二深度大于该第一深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711162406.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍式场效应晶体管器件和方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
