[发明专利]垂直非易失性存储器装置

摘要

提供了一种垂直非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括在基底上的下绝缘层、包括交替地堆叠在下绝缘层上的栅电极和层间绝缘层的多层结构、栅极电介质以及沟道结构，并且非易失性存储器装置具有穿过多层结构延伸并暴露下绝缘层的开口。开口包括以第一宽度穿过多层结构中的至少一层延伸的第一开口部分以及以比第一宽度小的第二宽度穿过多层结构延伸的第二开口部分。栅极介电层位于开口中，沟道结构设置在栅极介电层上并电连接到基底。

主权项

1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：基底；下绝缘层，设置在基底上；多个层的多层结构，包括交替地堆叠在下绝缘层上的栅电极和层间绝缘层，所述多层结构具有从下绝缘层竖直地延伸的开口，开口包括第一开口部分和第二开口部分，其中，第一开口部分从下绝缘层穿过多层结构的多个层中的至少一层延伸，第二开口部分位于第一开口部分上并且从多层结构中的第一开口部分竖直地向上延伸；开口具有在第一开口部分处的第一宽度和在第二开口部分处的第二宽度，第二宽度小于第一宽度；栅极电介质，沿分别限定开口的侧部和底部的内表面和下表面延伸；以及沟道结构，在开口内的栅极电介质上被设置为沿限定开口的侧部和底部的内表面和下表面延伸，沟道结构穿过下绝缘层延伸并电连接到基底。