[发明专利]一种高线性场效应晶体管器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201711155491.7 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107919397A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;张濛;芦浩;杨凌;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高线性场效应晶体管器件，主要解决现有FinFET器件栅控能力不均匀的问题。其自上而下包括衬底层(1)、GaN缓冲层(2)和AlGaN势垒层(3)，AlGaN势垒层(3)的两端分别设有源电极(4)和漏电极(5)，源极(4)和漏极(5)之间刻蚀有若干条均匀排列的纳米线沟道，其特征在于纳米线沟道上覆盖有介质层(6)，介质层(6)上设有栅电极(7)，该介质层(6)在竖直方向的厚度为零，在水平方向厚度为1nm‑3nm，以使得纳米线沟道在多方向上电容平衡。本发明相较传统器件，减小了短沟道效应和栅极电流泄漏，提高了栅控能力的均匀性，可广泛应用于通讯，卫星导航，雷达系统和基站系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 场效应 晶体管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高线性场效应晶体管器件，自上而下包括衬底层(1)、GaN缓冲层(2)和AlGaN势垒层(3)，AlGaN势垒层(3)的两端分别设有源电极(4)和漏电极(5)，源极(4)和漏极(5)之间刻蚀有若干条均匀排列的纳米线沟道，其特征在于纳米线沟道上覆盖有介质层(6)，介质层(6)上设有栅电极(7)。
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