[发明专利]一种基于横向沟道调制的增强型场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供了一种基于横向沟道调制的GaN基增强型场效应晶体管，主要解决现有同类器件由隧穿引起的漏电和阈值电压不足的问题。其自下而上包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的两端设有源电极和漏电极，源电极和漏电极上设有金属互联层，AlGaN势垒层和GaN缓冲层上均设有多条隔开的纳米线沟道，AlGaN势垒层上设有凹槽和垂直于纳米线沟道的凹槽栅电极，凹槽栅电极以外的区域为钝化层，该SiN钝化层与凹槽栅电极之上设有SiN保护层，凹槽与凹槽栅电极之间设有HfO2介质层。本发明极大地减小了漏电，提高了GaN基器件的增强效果，可用于微波、毫米波通讯系统以及雷达系统的基本器件。

主权项

一种基于横向沟道调制的GaN基增强型场效应晶体管，自下而上包括衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)和AlGaN势垒层(4)，AlGaN势垒层(4)的两端设有源电极(5)和漏电极(6)，源电极和漏电极上设有金属互联层(11)，AlGaN势垒层和GaN缓冲层上均设有多条纳米线沟道(12)，沟道之间通过隔离区(13)隔开，AlGaN势垒层上设有凹槽(14)和凹槽栅电极(9)，该凹槽栅电极垂直于纳米线沟道，凹槽栅电极以外的区域为钝化层(7)，该SiN钝化层与凹槽栅电极之上设有SiN保护层(10)，其特征在于：凹槽与凹槽栅电极之间设有HfO2介质层(8)。