[发明专利]一种外延层变掺杂浓度的碳化硅二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201711155475.8 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN108565294B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杨同同;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/16;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 常虹 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种外延层变掺杂浓度的碳化硅二极管及其制备方法，其中碳化硅二极管包括碳化硅衬底、位于所述碳化硅衬底一侧的阴极、位于所述衬底背离所述阴极一侧的碳化硅外延层、位于所述碳化硅外延层表面的阳极，所述碳化硅衬底的掺杂浓度高于所述碳化硅外延层的掺杂浓度，所述碳化硅外延层的掺杂浓度按下式变化掺杂： |
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| 搜索关键词： | 一种 外延 掺杂 浓度 碳化硅 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种外延层变掺杂浓度的碳化硅二极管，包括碳化硅衬底、位于所述碳化硅衬底一侧的阴极、位于所述衬底背离所述阴极一侧的碳化硅外延层、位于所述碳化硅外延层表面的阳极，其特征在于，所述碳化硅衬底的掺杂浓度高于所述碳化硅外延层的掺杂浓度，所述碳化硅外延层的掺杂浓度按下式变化掺杂：![]()
其中Nd为外延层的掺杂浓度，ε为碳化硅材料的介电常数，EC为碳化硅材料的临界击穿电场，q为单位电子电荷，Vbd为击穿电压，t为距离器件表面的深度与外延层厚度的比值。
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