[发明专利]一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器有效
申请号: | 201711155444.2 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108023263B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 冯正;王大承;谭为 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
主分类号: | H01S1/02 | 分类号: | H01S1/02 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 蒋斯琪 |
地址: | 621999 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明公开了一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器,其具体结构包括:铁磁纳米层/LaAlO |
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搜索关键词: | 一种 磁场 电压 调控 赫兹 脉冲 发生器 | ||
【主权项】:
1.一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器,其特征在于,包括用于产生太赫兹脉冲的多层结构,该多层结构依次为铁磁纳米层/LaAlO3 纳米层/SrTiO3 衬底/底电极,LaAlO3 纳米层和SrTiO3 衬底的界面之间形成有二维电子气;所述铁磁纳米层的外侧施加飞秒激光脉冲;所述多层结构的铁磁纳米层施加面内外加磁场;所述多层结构的铁磁纳米层和底电极之间加设电压。
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