[发明专利]一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器有效

专利信息
申请号: 201711155444.2 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN108023263B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 冯正;王大承;谭为 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: H01S1/02 分类号: H01S1/02
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 蒋斯琪
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器,其具体结构包括:铁磁纳米层/LaAlO3纳米层/SrTiO3衬底/底电极,LaAlO3纳米层和SrTiO3衬底的界面形成有二维电子气;通过飞秒激光脉冲泵浦铁磁纳米层,激发超快自旋流从铁磁纳米层注入二维电子气中,二维电子气中的反Edelstein效应使超快自旋流转换为皮秒量级的瞬时电荷流,从而向两侧辐射出太赫兹脉冲;外加磁场施加于铁磁纳米层面内,改变外加磁场方向可调控太赫兹脉冲的偏振方向;在铁磁纳米层和底电极之间施加电压,可调控太赫兹脉冲的偏振、强度和频谱宽度;因此本发明可在单一器件上实现不同偏振、强度、频谱宽度等的太赫兹脉冲产生。
搜索关键词: 一种 磁场 电压 调控 赫兹 脉冲 发生器
【主权项】:
1.一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器,其特征在于,包括用于产生太赫兹脉冲的多层结构,该多层结构依次为铁磁纳米层/LaAlO3纳米层/SrTiO3衬底/底电极,LaAlO3纳米层和SrTiO3衬底的界面之间形成有二维电子气;所述铁磁纳米层的外侧施加飞秒激光脉冲;所述多层结构的铁磁纳米层施加面内外加磁场;所述多层结构的铁磁纳米层和底电极之间加设电压。
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