[发明专利]一种抑制晶圆混合键合中铜电迁移的方法有效
| 申请号： | 201711154880.8 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107993928B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 丁滔滔;王家文;汪小军;李春龙;郭帅;邢瑞远;曾凡志 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/306;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制晶圆混合键合中铜电迁移的方法，方法包括以下步骤：在至少两个半导体衬底之上形成金属层；对半导体衬底执行化学机械抛光，从而在金属层上形成多个凹陷；在具有多个凹陷的金属层上镀敷石墨烯；以及对至少两个半导体衬底进行热处理，使得金属层通过石墨烯进行键合。本发明首先控制形成特定高度的凹陷，随后将单层石墨烯精确地转移至凹陷中形成盖敷层，然后通过晶圆混合键合的方法进行晶圆键合，最后在一定温度下进行热处理，这样就可抑制铜的电迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 混合 键合中铜电 迁移 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制晶圆混合键合中铜电迁移的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：在至少两个半导体衬底之上形成金属层；对所述半导体衬底执行化学机械抛光，从而在所述金属层上形成多个凹陷；在具有多个凹陷的金属层上镀敷石墨烯；以及对所述至少两个半导体衬底进行热处理，使得所述金属层通过所述石墨烯进行键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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