[发明专利]高密封良率的多层密封膜有效
| 申请号： | 201711148122.5 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108117038B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 杨志坚;石明伦;李仁铎;刘人豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了高密封良率的多层密封膜。在一些实施例中，衬底包括从衬底的上侧穿过衬底延伸至衬底的下侧的通气口。衬底的上侧具有第一压力，并且衬底的下侧具有与第一压力不同的第二压力。多层密封膜覆盖并且密封通气口以防止第一压力通过通气口与第二压力平衡。此外，多层密封膜包括金属层对和夹在金属层之间的阻挡层。还提供了包括多层密封膜的微电子机械系统(MEMS)封装件和用于制造多层密封膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 密封 多层 | ||
【主权项】：
一种微电子机械系统(MEMS)封装件，包括：支撑结构；微电子机械系统衬底，位于所述支撑结构上方并且接合至所述支撑结构，其中，所述支撑结构和所述微电子机械系统衬底限定了位于所述支撑结构和所述微电子机械系统衬底之间的腔体，并且其中，所述微电子机械系统衬底包括从所述微电子机械系统衬底的上侧延伸穿过所述微电子机械系统衬底至所述腔体的通气口；以及多层密封膜，覆盖并且密封所述通气口以防止所述微电子机械系统衬底的上侧的第一压力通过所述通气口与所述腔体中的第二压力平衡，其中，所述多层密封膜包括金属层对和夹在所述金属层之间的阻挡层。
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