[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711141217.4 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107833927A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 肖鹏;袁健 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 王国标 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，通过在氧化物半导体层的上方沉积金属纳米粒子层，然后在其上制备自组装分子层，相比原有的氧化物薄膜晶体管器件结构多了一层金属纳米粒子层和自组装分子层，该自组装分子层能在不损伤氧化物半导体层的前提下有效修饰氧化物表面以降低氧化物半导体层的表面能，减少水、氧吸附和解吸附现象，从而提高器件的稳定性。同时，氧化物半导体之上的金属纳米粒子层能提高氧化物半导体的载流子的迁移率，有利于提高器件迁移率。此外，金属纳米粒子层和自组装分子层还能提高氧化物半导体层的抗蚀性，减少后续镀膜或刻蚀对其造成的损伤，可以不必另外制备保护层，简化了制备工艺，降低了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括基板(10)，所述基板(10)上方设置有栅极(11)，所述栅极(11)上方设置有绝缘层(12)，所述绝缘层(12)上方设置有氧化物半导体层(13)、源极(14a)和漏极(14b)，所述源极(14a)和漏极(14b)相互间隔并分别与氧化物半导体层(13)的两端相接，所述氧化物半导体层(13)上方的裸露面表面设置有金属纳米粒子层(15)，所述金属纳米粒子层(15)上方设置有自组装分子层(16)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山科学技术学院，未经佛山科学技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711141217.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
