[发明专利]超细孔结构的制成工艺

摘要

本发明涉及超细孔结构的制成工艺，包括以下步骤：提供芯片结构；进行刻蚀，在芯片结构的顶层沉积膜内形成接触孔，使次顶层沉积膜内的钨插塞的上表面暴露在接触孔内；向接触孔内沉积二氧化硅，在接触孔的侧壁和钨插塞的上表面形成二氧化硅沉积层，进而形成超细孔；对二氧化硅沉积层进行高温退火；进行湿法清洗，除去超细孔内位于钨插塞的上表面的部分二氧化硅沉积层；向超细孔内沉积粘合材料，形成粘合层；向超细孔内沉积钨，使钨充满超细孔的剩余孔隙，形成超细孔结构。本发明通过在超细孔结构的形成工艺中加入二氧化硅侧墙的高温退火步骤，降低了后续湿法清洗和粘合材料沉积步骤对侧墙厚度的影响，保证了超细孔结构的尺寸。

主权项

超细孔结构的制成工艺，其特征在于，包括以下步骤：提供芯片结构，芯片结构包括衬底和依次沉积在衬底表面的多层沉积膜，其中次顶层沉积膜内设有贯穿其中的钨插塞；进行刻蚀，在顶层沉积膜内形成接触孔，接触孔由顶层沉积膜的上表面向下延伸直至次顶层沉积膜的上表面，并且使钨插塞的上表面暴露在接触孔内；向接触孔内沉积二氧化硅，在接触孔的侧壁和钨插塞的上表面形成二氧化硅沉积层，进而形成超细孔；对二氧化硅沉积层进行高温退火；进行湿法清洗，除去超细孔内位于钨插塞的上表面的部分二氧化硅沉积层，使钨插塞的上表面暴露在超细孔内；向超细孔内沉积粘合材料，在超细孔的内壁的剩余二氧化硅沉积层的表面和钨插塞的上表面形成粘合层；向超细孔内沉积钨，使钨充满超细孔的剩余孔隙，形成超细孔结构。