[发明专利]一种复杂形状多孔氮化硅件的制备方法有效
| 申请号： | 201711134350.7 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108002842B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 史玉升;刘荣臻;吴甲民;陈双;陈安南;李晨辉;陈鹏 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/65;C04B38/00;B33Y10/00;B33Y70/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于材料成型相关技术领域，其公开了一种复杂形状多孔氮化硅件的制备方法，该方法将金属激光选区熔化工艺与氮化硅的反应烧结工艺相结合，为制备大尺寸、复杂形状多孔氮化硅部件提供了新的思路；具体包括以下步骤：(1)提供预定质量份数的金属硅粉及氧化物烧结助剂作为原料；(2)采用激光选区熔化工艺对所述原料进行微区部分烧结以预成型出多孔硅坯体；(3)对所述多孔硅坯体进行反应烧结，通过氮化以得到复杂形状多孔氮化硅件。所述制备方法易对多孔氮化硅件实现控形控性，可提高制造效率，灵活性较高，且无需高分子粘结剂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复杂 形状 多孔 氮化 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种复杂形状多孔氮化硅件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)提供预定质量份数的金属硅粉及氧化物烧结助剂作为原料；(2)采用增材制造工艺对所述原料进行部分烧结以预成型出多孔硅坯体；(3)对所述多孔硅坯体进行反应烧结，通过氮化以得到复杂形状多孔氮化硅件。
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